產(chǎn)品名稱:EC-80
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[抗頁電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總范圍)
*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
產(chǎn)品名稱:EC-80P(便攜式)
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總范圍)
*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)
產(chǎn)品名稱:NC-10(NC-20)
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總范圍)
*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
產(chǎn)品名稱:DUORES
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導體相關(guān)的進樣樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
薄膜,玻璃,紙材料等
通常,可以在測量范圍內(nèi)測量任何樣品。
•薄膜材料(ITO,TCO等)
•低電子玻璃
•碳納米管,石墨烯材料
•金屬材料(納米線,網(wǎng)格,網(wǎng)眼)
•其他